금속막의 레이저에 대한 고흡수성을 이용하여 고온의 열처리가 필요한 막질 주변에 금속막을 배치시킨후 레이저를 주사하는 간접 열처리 기술(특허등록)을 통하여
1)DRAM에 사용중인 HfO2의 열처리를 통하여 유전율을 현재의 2배이상 변화시키는 기술.
2)DRAM의 capacitor와 bit-line사이의 poly-Si을 녹이며 발생되는 돌기(protrusion)생성을 막는 기술을 개발중입니다.